記者近日獲悉：中國科學技術大學郭光燦院士團隊近期與國內(nèi)外學者合作，實現(xiàn)了硅基自旋量子比特的超快操控,，其自旋翻轉(zhuǎn)速率超過540兆赫,，是目前國際上已報道的最高值。團隊成員包括郭國平教授,、李海歐研究員等,。
硅基半導體自旋量子比特是量子計算研究的核心方向之一，具有長量子退相干時間,、高操控保真度等獨特優(yōu)勢,，并且可以很好地與現(xiàn)代半導體工藝技術兼容。近年來,，硅基鍺空穴體系中的自旋軌道耦合研究和實現(xiàn)超快自旋量子比特操控是該領域關注的熱點,。測量并確定自旋軌道耦合場的方向，是實現(xiàn)高保真度自旋量子比特的首要任務,。
該團隊通過建模分析,，揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要貢獻來自于該體系的強自旋軌道耦合效應。研究結(jié)果表明,，硅基鍺空穴自旋量子比特是實現(xiàn)全電控量子比特操控與擴展的重要候選體系,，為實現(xiàn)硅基半導體量子計算奠定重要研究基礎。
