記者近日獲悉：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)近期與國內(nèi)外學(xué)者合作,，實(shí)現(xiàn)了硅基自旋量子比特的超快操控,，其自旋翻轉(zhuǎn)速率超過540兆赫,，是目前國際上已報(bào)道的最高值。團(tuán)隊(duì)成員包括郭國平教授,、李海歐研究員等,。

硅基半導(dǎo)體自旋量子比特是量子計(jì)算研究的核心方向之一，具有長量子退相干時(shí)間,、高操控保真度等獨(dú)特優(yōu)勢,，并且可以很好地與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝技術(shù)兼容。近年來,，硅基鍺空穴體系中的自旋軌道耦合研究和實(shí)現(xiàn)超快自旋量子比特操控是該領(lǐng)域關(guān)注的熱點(diǎn),。測量并確定自旋軌道耦合場的方向，是實(shí)現(xiàn)高保真度自旋量子比特的首要任務(wù),。

該團(tuán)隊(duì)通過建模分析,，揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要貢獻(xiàn)來自于該體系的強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)。研究結(jié)果表明,，硅基鍺空穴自旋量子比特是實(shí)現(xiàn)全電控量子比特操控與擴(kuò)展的重要候選體系,，為實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體量子計(jì)算奠定重要研究基礎(chǔ)。